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    化合物半導體単結晶の成長

          化合物半導體単結晶(例えばGaAs、InPなど)の成長には溫度や原材料の純度及び成長容器の純度などに対して極厳しい條件が要る。化合物半導體単結晶の成長方法は主には液體封止引上法(LEC)と垂直溫度勾配凝固法(VGF)などの方法があり、博宇VGFLECシリーズ坩堝製品にその方法によって作られるものである。

    • 製品の概要
    • 製品モデル
    • 參考文書

            化合物半導體は第二代の半導體材料と稱される。第一代の半導體材料と比べて、光學遷移及び電子飽和遷移速度定數が高い、耐高溫、耐輻射などの特性を有し、超高速、超高周波數、低パワー、低ノイズの回路で、特に光電子部品と光電ストレージにおけて獨特なメリットがある。その內、一番代表的なものはGaAsInPなどである。
       


       

          
                         VGF 坩堝                                                LEC 坩堝


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