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                                       LEC坩堝

           1.製品説明
                  LEC( Liquid Encapsulated Czochralski method ) 法は液體被覆剤によりメッ                   キを封止して発揮成分をコントロールして半導體結晶體の成長を実現す                 る方法である。
                  LEC坩堝は主に液體封止引上法(LEC)により単結晶を成長する容器とし                     て使われる。
           2.製品特性
                  
    純度は99.999%に達する。
                  溶融金屬と濡れにくい。
                  熱伝導率が管理できるため、結晶成長率を効果的に上げる。
                  優れた耐熱衝性。
                  洗浄しやすく、繰り返しの利用が可能。
                  不活性、高溫で酸、アカリルと化學反応を起こしにくい。



    • 仕様説明
    • 性能パラメータ
    • 製品応用
    • 文書ダウンロード
    • Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness
      BL-3 LEC 3" 3" 0.03"
      BL-4 LEC 4" 4" 0.035"
      BL-5 LEC 5" 5" 0.035"
      BL-6 LEC 6" 6" 0.04"
      BL-7 LEC 7" 7" 0.04"
      BL-8 LEC 8" 8" 0.04"
      BL-14 LEC 14" 14" 0.08"

             *以上データは選考、製品標準として顧客の需要によって別途で製作することができます。

    •   PBN性能參數表

       

      Properties Units Values
      Density g/cm3 1.95-2.20
      Tensile Strength MPa 112
      Bending Strength MPa 173
      Compression Strength MPa 154
      Young's Modulus GPa 18
      Thermal Conductivity W/m°C "a" 60     "c" 2
      Specific Heat J/g·℃ 0.90(RT)
      Resistivity Ω.cm 2x1015
      Dielectric Strength D.C. volts/mm 2x1015
      Dielectric Constant   "c" 3.07
      Metal Impurity Content ppm <10
       

       



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