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                                        VGF坩堝

           1.製品説明
                 
    VGFは現在國際におけGaAsInPなど化合物半導體単結晶を成長する                 主流技術である。
                  VGF坩堝は垂直溫度勾配凝固法(VGF)により化合物単結晶を成長する                 容器である。
           2.製品特性
                 
    純度は99.999%に達する。
                  溶融金屬と濡れにくい。
                  熱伝導率が管理できるため、結晶成長率を効果的に上げる。
                  優れた耐熱衝性。
                  洗浄しやすく、繰り返しの利用が可能。
                  不活性、高溫で酸、アカリルと化學反応を起こしにくい。

                

                   

    • 仕様説明
    • 性能パラメータ
    • 製品応用
    • 文書ダウンロード
    • Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness
      BV-2 VGF 2" 10" 0.035"
      BV-3 VGF 3" 10" 0.035"
      BV-4 VGF 4" 8" 0.035"
      BV-5 VGF 5" 8" 0.04"
      BV-6 VGF 6" 7" 0.04"
      BV-8 VGF 8" 20" 0.08"
               

                 *以上データは選考、製品標準として顧客の需要によって別途で製作することができます。

    •   PBN性能參數表

       

      Properties Units Values
      Density g/cm3 1.95-2.20
      Tensile Strength MPa 112
      Bending Strength MPa 173
      Compression Strength MPa 154
      Young's Modulus GPa 18
      Thermal Conductivity W/m°C "a" 60     "c" 2
      Specific Heat J/g·℃ 0.90(RT)
      Resistivity Ω.cm 2x1015
      Dielectric Strength D.C. volts/mm 2x1015
      Dielectric Constant   "c" 3.07
      Metal Impurity Content ppm <10
       

       



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