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                                        LEC坩堝

           一.產品概述
                  
    LEC法是用液態覆蓋劑封閉熔體控制揮發組分實現半導體晶體生長的方法。
                  LEC坩堝主要作為液封直拉法(LEC)技術生長單晶中的生長容器。
           二.產品特點
                  
    純度高達99.999%
                  與熔融金屬不潤濕
                  熱導率可控,有效提高成晶率
                  優異的抗熱震性
                  易清洗,可重復使用
                  化學惰性,在高溫下與酸、堿不發生化學反應

    • 規格說明
    • 產品詳情
    • 產品應用
    • 文檔下載
    • Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness
      BL-3 LEC 3" 3" 0.03"
      BL-4 LEC 4" 4" 0.035"
      BL-5 LEC 5" 5" 0.035"
      BL-6 LEC 6" 6" 0.04"
      BL-7 LEC 7" 7" 0.04"
      BL-8 LEC 8" 8" 0.04"
      BL-14 LEC 14" 14" 0.08"

             *此表為典型坩堝規格,如需其他規格尺寸,可以定制

    •   PBN性能參數表

       

      Properties Units Values
      Density g/cm3 1.95-2.20
      Tensile Strength MPa 112
      Bending Strength MPa 173
      Compression Strength MPa 154
      Young's Modulus GPa 18
      Thermal Conductivity W/m°C "a" 60     "c" 2
      Specific Heat J/g·℃ 0.90RT
      Resistivity Ω.cm 2×1015
      Dielectric Strength D.C. volts/mm 2×1015
      Dielectric Constant   "c" 3.07
      Metal Impurity Content ppm <10
       

       



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