• <noscript id="4g2ig"><source id="4g2ig"></source></noscript>
  • <table id="4g2ig"><noscript id="4g2ig"></noscript></table>
  • <td id="4g2ig"><noscript id="4g2ig"></noscript></td>

    推薦產品

    +86-10-81595615


    當前位置 : 首頁 > 產品中心 > 熱解氮化硼產品 > 添加產品

                                        VGF坩堝

           一.產品概述
                 
    VGF是目前國際上生長GaAs和InP等化合物半導體單晶的主流技術。
                  VGF坩堝為垂直梯度凝固法(VGF)生長化合物單晶的容器。
           二.產品特點
                   
    純度高達99.999%
                   與熔融金屬不潤濕
                   熱導率可控,有效提高成晶率
                   優異的抗熱震性
                   易清洗,可重復使用
                   化學惰性,在高溫下與酸、堿不發生化學反應
                
                   
    • 規格說明
    • 性能參數
    • 產品應用
    • 文檔下載
    • Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness
      BV-2 VGF 2" 10" 0.035"
      BV-3 VGF 3" 10" 0.035"
      BV-4 VGF 4" 8" 0.035"
      BV-5 VGF 5" 8" 0.04"
      BV-6 VGF 6" 7" 0.04"
      BV-8 VGF 8" 20" 0.08"
               

                 *此表為典型坩堝規格,如需其他規格尺寸,可以定制

    •   PBN性能參數表

       

      Properties Units Values
      Density g/cm3 1.95-2.20
      Tensile Strength MPa 112
      Bending Strength MPa 173
      Compression Strength MPa 154
      Young's Modulus GPa 18
      Thermal Conductivity W/m°C "a" 60     "c" 2
      Specific Heat J/g·℃ 0.90RT
      Resistivity Ω.cm 2×1015
      Dielectric Strength D.C. volts/mm 2×1015
      Dielectric Constant   "c" 3.07
      Metal Impurity Content ppm <10
       

       


    亚洲精品国产,91嫩草影院,99久久这里只有精品免费6,五月天婷五月天综合网
  • <noscript id="4g2ig"><source id="4g2ig"></source></noscript>
  • <table id="4g2ig"><noscript id="4g2ig"></noscript></table>
  • <td id="4g2ig"><noscript id="4g2ig"></noscript></td>